12 июня корпорация Intel объявила, что ее инженеры разработали новую технологию, которая поможет корпорации закрепить лидерство в области производства высокопроизводительных полупроводниковых компонентов с низким энергопотреблением.

Проведенные в Intel исследования новых типов транзисторов позволили сделать еще один шаг к началу массового производства транзисторов с трехмерным затвором. Эти транзисторы отличаются значительно улучшенными показателями производительности и энергопотребления, и инженеры Intel рассчитывают, что они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с использованием 45-нанометровой и более совершенных производственных технологий.

Базовыми элементами микросхем долгое время были планарные транзисторы, которые появились в конце 1950-х годов. Однако по мере развития нанотехнологий, позволяющих создавать транзисторы с элементами, толщина которых составляет всего лишь несколько атомов, то, что раньше воспринималось как «плоское», теперь разрабатывается в трех измерениях ради дальнейшего улучшения производительности и энергопотребления микросхем. Регулярно запуская в массовое производство все более совершенные процессоры, корпорация Intel разработала методику объединения новых трехмерных транзисторов с другими полупроводниковыми технологиями, которая позволит сделать вычислительные системы гораздо более производительными и экономичными.

Вполне возможно, что транзисторы с трехмерным затвором послужат основой будущих высокопроизводительных экономичных технологий Intel, потому что они отличаются значительно меньшей утечкой и потребляют гораздо меньше энергии, чем нынешние планарные транзисторы. В сравнении с современными транзисторами, производимыми по 65-нанометровой технологии, интегрированные транзисторы с трехмерным затвором могут обеспечить 45-процентное увеличение тока возбуждения (от которого зависит быстрота переключения транзистора) или 50-кратное уменьшение запирающего тока, а также 35-процентное уменьшение тока переключения транзистора. Повышенная производительность и сниженное энергопотребление новых транзисторов позволят обеспечить новое качество работы для пользователей ПК и других устройств, созданных на базе платформ Intel.

«Эти результаты подтверждают эффективность подхода Intel к разработке инновационных технологий, — заявил Майк Мэйберри (Mike Mayberry), вице-президент корпорации Intel и руководитель подразделения, занимающегося исследованиями компонентов. — Успешно объединив три ключевых элемента — трехмерную геометрию затвора транзистора, диэлектрики «high-k» и технологию напряженного кремния, — мы в очередной раз разработали транзистор с рекордными характеристиками. Это вселяет в нас уверенность в то, что закон Мура не утратит силу и в следующем десятилетии».

Технический отчет об этом исследовании был представлен инженерами Intel 13 июня на симпозиуме по технологии VLSI (2006 Symposium on VLSI Technology) в Гонолулу.