Корпорация Intel объявила о начале первых в отрасли массовых поставок многоуровневых (Multi-Level Cell, MLC) микросхем флэш-памяти класса NOR, созданных на базе 65-нанометровой производственной технологии, в том числе 1-гигабитных монолитных модулей для сотовых телефонов. Новая продукция основана на архитектуре Intel® StrataFlash® Cellular Memory (M18) и обратно совместима с серийно выпускаемыми модулями флэш-памяти Intel на базе 90-нанометровой производственной технологии. Это гарантирует OEM-производителям простой переход к использованию новых модулей.

Однокристальные модули флэш-памяти класса NOR MLC емкостью 1 гигабит ориентированы на использование в мультимедийных мобильных телефонах с мегапиксельными фотокамерами, а также поддерживающими работу с видео и высокоскоростной обмен данными, то есть прекрасно подходят для появляющихся на рынке устройств нового поколения.

«Плотность размещения информации на нашем 1-гигабитном модуле позволяет хранить вдвое больший объем мультимедийных файлов и выпускать еще более тонкие телефоны – оба этих фактора являются ключевыми для наших заказчиков», – заявил Дарин Биллербек (Darin Billerbeck), вице-президент и генеральный менеджер подразделения Intel Flash Products Group корпорации Intel. Согласно планам выпуска продукции Intel на базе 65-нанометровой производственной технологии, в 2007 году в составе семейства микросхем M18 появятся модули емкостью 512 Мбит, 256 Мбит и 128 Мбит.

Новые модули флэш-памяти Intel класса NOR MLC, производимые по 65-нанометровой технологии, характеризуются высокой скоростью считывания на частотах до 133 МГц и повышенной скоростью записи (до 1 МБ/с), что обеспечивает сокращение времени отклика, а также высокой емкостью, достаточной для 4-мегапиксельных цифровых фотокамер и работе с видео в формате MPEG-4. С переходом на 65-нанометровую производственную технологию скорость записи, по сравнению с предыдущим поколением флэш-памяти Intel, возросла вдвое, увеличена и продолжительность автономной работы от батарей за счет пониженного энергопотребления, напряжения питания 1,8 В и реализации режима Deep Power-Down.

«Архитектура Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) позволила компании Sony Ericsson легко перейти от использования компонентов, производимых по 90-нанометровой технологии, к новым 65-нанометровым модулям. Благодаря этому мы сократили сроки выхода на рынок нового поколения наших телефонов», – считает Петер Карлссон (Peter Carlsson), вице-президент и руководитель службы снабжения компании Sony Ericsson Mobile Communication.

Корпорация Intel продолжает тесно сотрудничать и с другими производителями мобильных телефонов для стимулирования быстрого перехода к использованию ее новой продукции. Полная поддержка модулей семейства M18 гарантирована для первой десятки наборов микросхем на рынке, кроме того обеспечена поддержка со стороны независимых производителей программного обеспечения, что расширяет возможности OEM-производителей.

«Модули семейства M18 емкостью 1 Гбит позволят компании Infineon использовать флэш-память NOR в мобильных телефонах класса high-end и в то же время сохранить поддержку того же интерфейса, который применяется для продукции на базе 90-нанометровой технологии», – поделился Клемонс Йаргон (Clemons Jargon), вице-президент компании Infineon Technologies и глава ее подразделения по разработке телефонов с расширенными функциональными возможностями.

Новое семейство продукции выпущено благодаря сотрудничеству компаний Intel и STMicroelectronics в области развития архитектуры памяти для сотовых телефонов. Это сотрудничество гарантирует производителям мобильных телефонов единство архитектуры, стандартные интерфейсы и конфигурации памяти, а также обеспечивает возможность приобретения быстродействующих модулей памяти большой емкости с пониженным энергопотреблением у широкого спектра поставщиков.